碳化硅是新一代信息技术的基础材料，被称为新能源时代的 技术心脏 ，是全球争相抢占的科技制高点。这座总投资超200亿元的半导体超级工厂，一期项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，可年产36万片6英寸碳化硅晶圆，产能跻身全球前列，达产后可满足144万辆新能源汽车的制造需求，推动我国第三代半导体实现从 跟跑 到 并跑 的关键跨越。

长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹介绍，碳化硅功率半导体、化合物半导体这个方向，有极大的市场，长飞先进将打造一个新的赛道，为中国的化合物半导体功率器件的发展去做更大的贡献。

当前，我国碳化硅器件国际市场规模年均增速超30%，是全球产能的重要提供者。作为武汉东湖科学城首个落地的百亿级半导体项目，长飞先进基地从一片荒地起步，10个月封顶、18个月量产，吸引超20家配套企业落户，覆盖设备、材料、封测的第三代半导体全产业链，形成了国内首个碳化硅全产业链集群。

长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚表示，光谷要打造第三代半导体的产业集群，九峰山实验室就是一个化合物的实验室，工厂落地之后就开始进行产业化了，总投资会达到200亿。

近年来，武汉将化合物半导体列为 未来产业六大方向 之一，以九峰山实验室为核心，计划3年引进和培育上下游企业100家，加快把武汉光谷打造成化合物半导体领域的 世界灯塔 。

工信部信息通信经济专家委员会委员盘和林表示，湖北打造长飞先进武汉基地，既是突破半导体核心技术封锁的破局之要，也是地方政府 链长制 招商与龙头企业技术攻坚的典范。通过技术攻坚、产能释放与生态聚合，为全球第三代半导体竞争注入中国力量。