长江存储科技有限义务公司13日宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号：X2-6070)研发胜利，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上经过考证。
　　长江存储是中国中心半导体制造企业紫光集团旗下公司，主要业务为3DNAND闪存设计制造。2016年底落地武汉，总投资240亿美圆。
　　作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070具有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。所谓QLC，是继当前TLC(3bit/cell)后3DNAND闪存新的技术形态，具有大容量、高密度等特性，合适于读取密集型应用。
　　据引见，每颗X2-6070QLC闪存芯片具有128层三维堆栈，共有超越3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元，每个存储单元可存储4字位(bit)的数据，共提供1.33Tb的存储容量。
　　长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示，“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间完成了从32层到64层再到128层的逾越。”
　　闪存和SSD(固态硬盘)范畴市场研讨公司ForwardInsights开创人兼首席剖析师GregoryWong以为：“QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的本钱，更合适作为大容量存储介质。比方能够作为效劳器和数据中心的存储介质，合适AI计算、机器学习和大数据读取密集型应用。”